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乙炔炭黑电阻率测定仪
半导电屏蔽层电阻率测试仪
产品名称:半导屏蔽层电阻率测试仪
产品型号:GEST-125A
满足标准:
GBT 11017.1-2014 额定电压110kV Um=126kV 交联聚乙烯绝缘电力电缆及其附件 第1部分 试验方法和要求 D半导电屏蔽电阻率测量方法
产品概述:
本仪器用来测试高压电缆半导电内外屏蔽层的电阻率,采用四端子电流—电压降压法原理,能够有效地排除测试中产生的接触电阻和引线电阻的影响,通过专用的测试架能够对不同直径的电缆迅速而准确地测量其屏蔽层的电阻。
仪器由电气箱和测试架两大部分组成,测试架具有夹持加压机构,能够良好地夹紧各种不同直径的屏蔽电缆,具有环形准确度达0.3%的电位电极和电流电极确保仪器取样位置精度高、使用方便、外形轻巧,适应在常温和恒温箱中测量。
乙炔炭黑电阻率测定仪
电压电极应平行放置在材料表面上,有些材料在用水清洗后要进行烘干后进行测量,可以根据不同标准或规范进行。
标准 GB11210《硫化橡胶抗静电和导电制品电阻的测定》
标准 ISO1853 《导电和防静电橡胶-电阻率测量》
测量模式:自动测量、手动测量
取值方式:自动取值、手动取值
标准 ISO 3915 《导电塑料体积电阻率测试方法》
标准 GB2439 《导电和抗静电橡胶电阻率(系数)的测定方法》
显示数据:电压、电流、电阻、电阻率
校准模式:能够实现电压、电阻、电流自动校准
标准 GB/T15662《导电、防静电塑料体积电阻率测试方法》
交通行业标准 JT230-95 汽车导静电橡胶拖地带
电压模块:采用可编程电压模块,电压精度为±0.05%
校准电阻:采用真空电阻,完全去除了外界对校准的电阻的干扰,实现精准测量
美国 ASTM D991 标准《橡胶特性---导电材料及防静电产品的体积电阻的标准测试方法》
绝缘材料的电阻率一般都很高,也就是传导电流很小。如果不注意外界因素的干扰和漏电流的影响,测量结果就会发生很大的误差。同时绝缘材料本身的吸湿性和环境条件的变化对测量结果也有很大影响。
若要重复测量时,应将试样上的残余电荷全部放掉方能进行。
乙炔炭黑电阻率测定仪
仪器具有测量精度高、稳定性好、结构紧凑、使用方便等特点,完全符合国际和国家标准的要求。
本仪器适合电缆研究部门,电缆厂,对于高压交联电缆半导电屏蔽层电阻率的测试是必须具备的测试设备。
仪器主要技术指标:
一、 测量范围:
测量半导电电阻率时: 电阻率10-5--105Ω-cm;分辩率10-6Ω-cm
测量其他(电线电缆)电阻时: 电阻10-4--2X105Ω,分辨率1uΩ
二、 测量电压:
1. 量程 2 mV、20 mV、200 mV、2V
2. 测量误差 2mA档±(0.5%读数+8字);20mV—2V挡±(0.5%读数+2字)
3. 显示4 1/2 位数字显示0—19999具有极性和过载自动显示,小数点、单位自动显示。
三、 恒流源:
1. 电流输出:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA、500 mA
2. 电流误差:±(0.5%读数+2字)
四、 测量电极:
电缆导电屏蔽层直径:10mm—35mm
电缆绝缘屏蔽层直径:50mm—140mm
电位电极间距:50mm±0.25mm
电流电极与电位电极距离>25mm
五 、数据打印:
可以测试结果进行打印,配有嵌入式微型打印机
六、电源要求:
1、220±10% 50HZ或60HZ 功率消耗<50W
乙炔炭黑电阻率测定仪
满足标准:
GB/T 12476.9-2010可燃性粉尘环境用电气设备第9部分:试验方法
---粉尘层电阻率的测定方法
GB/T 16427-2018 粉尘层电阻率测定方法
专业术语:
导电粉尘:电阻率等于或小于103Ω.m的可燃性粉尘
非导电粉尘:电阻率大于103Ω.m的可燃性粉尘
电阻率:单位面积与粉尘接触的电极,以单位距离分隔,两电极之间测得的电阻*小值。
为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量,特按照国标GB/T1553及SEMI MF-1535用高频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。 该设备是按照国家标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年,积累了丰富的使用经验,经过数次国内十多个单位巡回测试的考验,证明是一种成熟可靠的测试方法,特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量;也可对硅片进行测量,给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面,制样简便。
1、 可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光,直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。
2、 可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命,表面无需抛光、钝化。
3、配备专用软件的数字示波器,液晶屏上直接显示少子寿命值,同时显示动态光电导衰退波形,并可联用打印机及计算机。
4、配置两种波长的红外光源:
a、红外光源,光穿透硅晶体深度较深≥500μm,有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。
b、短波长红外脉冲激光器,光穿透硅晶体深度较浅≈30μm,但光强较强,有利于测量低阻太阳能级硅晶体。
5、测量范围宽广
测试仪可直接测量:
a、研磨或切割面:电阻率≥0.3Ω?㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命。
b、抛光面:电阻率在0.3~0.01Ω?㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。
寿命可测范围 0.25μS—10ms
能够对接地(将电力系统或建筑物中电气装置、设施的某些导电部分,经接地线连接至接地极)、工作接地(在电力系统电气装置中,为运行需要所设的接地)、保护接地(电气装置的金属外壳、配电装置的构架和电路杆塔等,由于绝缘损坏有可能带电、为防止其危及人身和设备的**而设的接地)、雷电保护接地(为雷电保护装置向大地泄放雷电流而设的接地)、防静电接地(为防止静电对易燃油、天然气储罐和管道等的危险作用而设的接地)、接地极(埋入地中并直接与大地接触的金属导体)、接地线(电气装置、设施的接地端子与接地极连接用的金属导电部分)、接地装置(接地线和接地极的总和)、接地网(由垂直和水平接地极组成的供发电厂、变电所使用的兼有泄流和均压作用的较大型的水平网状接地装置)进行接地电阻测量,适用于交流标称电压500kV及以下发电、变电、送电和配电电气装置(含附属直流电气装置)以及建筑物电气装置的接地电阻测量。
二极法测量直流电阻及交流电阻。
三极法、四极法测量接地电阻。
四极法直接测量土壤电阻率。